零電容隨機存取記憶體
（重新導向自Z-RAM）
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| 揮發性記憶體 |
| RAM |
| 發展中 |
| 歷史上 |
| 非揮發性記憶體 |
| ROM |
| 非揮發性隨機存取記憶體 |
| 早期非揮發性隨機存取記憶體 |
| 磁式 |
| 光學式 |
| 發展中 |
| 歷史上 |
零電容隨機存取記憶體（英語：Zero-capacitor random access memory，縮寫：Z-RAM）是一種新型的動態隨機存取記憶體，是由Innovative Silicon公司基於SOI技術的浮體效應（Float body effect）研發的。該技術已經被超微半導體（AMD）許可用於未來的微處理器。Innovative Silicon宣稱零電容隨機存取記憶體能夠提供和靜態隨機存取記憶體（SRAM，常在快取中應用）相似的存取速度，但是只使用了單一電晶體，因此能夠提供更高的封裝密度。