零電容隨機存儲器

零電容隨機存儲器（英語：Zero-capacitor random access memory，縮寫：Z-RAM）是一種新型的動態隨機存取存儲器，是由Innovative Silicon公司基於SOI技術的浮體效應（Float body effect）研發的。該技術已經被超微半導體（AMD）許可用於未來的微處理器。Innovative Silicon宣稱零電容隨機存儲器能夠提供和靜態隨機存取存儲器（SRAM，常在快取中應用）相似的存取速度，但是只使用了單一晶體管，因此能夠提供更高的封裝密度。

外部連結

• Technology Overview of Z-RAM （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
• No-capacitor DRAM doubles memory density
• AMD licenses Z-RAM technology
• SOI is not required anymore