氧化銦鎵鋅
（重新導向自IGZO）
氧化銦鎵鋅（Template:Langx，縮寫：package.lua第80行Lua錯誤：module 'Module:Lang/data/iana languages' not found）是一種半導體，可用於製作顯示器中的薄膜電晶體。IGZO結晶最初由君塚昇於1985年合成[1]，1990年代由東京工業大學教授細野秀雄與日本科學技術振興機構（JST）共同開發成IGZO透明不定形氧化物技術[2]。IGZO技術可提高面板解像度同時又降低成本，但IGZO面板對光、水以及氧都相當敏感，耐用度上只能用做民間消費品，不能用於高可靠度的軍用或工業環境。
IGZO與非晶矽相比能夠縮小電晶體尺寸，提高液晶面板畫素的開口率，較易實現解像度高出一倍，電子遷移率快十倍，成為OLED技術的最大對手。
日本科學技術振興機構（JST）把技術專利於2011年授權予三星電子[3]，2012年夏普(Sharp)亦獲得授權[4]。
LTPS（低溫多矽顯示面板）的表現在某些方面比IGZO更佳（如電子遷移率比IGZO快約十倍），但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本，在中大尺寸面板上使用IGZO技術的成本則比使用LTPS低很多。
參見[編輯]
參考文獻[編輯]
- ↑ N. Kimizuka and T. Mohri: J. Solid State Chem. 60 (1985) 382.
- ↑ http://dx.doi.org/10.1038/nature03090
- ↑ package.lua第80行Lua錯誤：module 'Module:Citation/CS1/People' not found
- ↑ package.lua第80行Lua錯誤：module 'Module:Citation/CS1/People' not found
參見[編輯]
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