DDR5 SDRAM
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| 研發商 | JEDEC |
|---|---|
| 類型 | SDRAM |
| 產品世代 | 5代 |
| 發佈日期 | 2020年7月14日[1] |
| 前代產品 | DDR4 SDRAM |
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第五代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(Template:Langx,縮寫DDR5 SDRAM)是一種高頻寬電腦記憶體規格。它屬於SDRAM家族的記憶體產品。
據英特爾公司Geof Findley稱,JEDEC計劃在2016年發佈DDR5 SDRAM規範,該種記憶體將在2020年向終端使用者提供。截至2017年2月,JEDEC部分規範資訊已經公開。[2][3][4]而2017年4月的新聞顯示,JEDEC宣佈將在當年6月公佈更多資訊,DDR5設計規範將於次年出爐[5]。
2018年11月,SK海力士宣佈研發完成,2020年量產。[6]
主記憶體晶片[編輯]
雖然前幾代SDRAM允許使用由主記憶體晶片和無源布線(加上小型串行檢測ROM)組成的無緩衝 DIMM,但 DDR5 DIMM 需要額外的緩衝電路,使得 DIMM 的介面不同於 RAM 晶片本身的介面。
DDR5 LRDIMM 使用 12V 電壓,UDIMM 使用 5V 電壓。DDR5 DIMM 僅提供 3.3 V 的管理介面電源,[7]並使用板載電路(電源管理集成電路和相關的組件)轉換為主記憶體晶片所需的較低電壓。接近使用點的最終電壓調節可提供更穩定的電源,並反映了 CPU 穩壓器的發展。
與 DDR4 不同,所有 DDR5 晶片都具有晶片內ECC,在將數據傳送到 CPU 之前檢測並糾正錯誤。但是,這與主記憶體模組上帶有額外數據校正晶片的真正ECC 主記憶體不同。DDR5 的糾錯是為了提高可靠性並允許使用更密集的 RAM 晶片,從而降低每個晶片的缺陷率。但請注意,DDR5 DIMM 仍有 ECC 變體。該變體有額外的電路到 CPU 以傳送錯誤檢測數據,讓 CPU 檢測和糾正傳輸過程中發生的錯誤。[8]
雙控制器雙通道[編輯]
處理器對每條 DIMM 主記憶體,均設有兩個獨立控制器,架構上兩條記憶體組成雙控制器雙通道。雖然早期的 SDRAM 有一條 CA(命令/地址)匯流排控制 64 條(用於非 ECC)或 72 條(用於 ECC)數據線,但在 DDR5 DIMM 時則由兩條 CA 匯流排控制:32 條(非 ECC)或 40 條(ECC)數據每條線,總共 64 或 80 條數據線。該匯流排寬度乘以兩倍的最小突發長度(16 位元組)保留了 64 位元組的最小訪問大小,這與 x86 微處理器使用的高速緩衝記憶體行大小相匹配。
參考資料[編輯]
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