imported>Tigerzeng：补充

2026-02-01T07:59:29Z

补充

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{{noteTA|G1=IT|G2=EL}}
{{Other uses
|subject = 一種記憶體類型
|other = 「DDR」的其他意義和用法
|DDR
|disambig = no
}}
{{Infobox information appliance
| name = DDR SDRAM
| type = [[SDRAM]]
| image = Kingston KVR400X64C3A-1G 20051111.jpg
| caption =
| developer = [[Samsung]] [[JEDEC]]
| release date = {{Start date|1998}}
| frequency =
| lifespan =
| website =
| predecessor =
| successor = [[DDR2 SDRAM]]
}}
{{記憶體類型}}
'''双倍数据率同步動態隨機存取記憶體'''（{{langx|en|Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory}}，簡稱{{lang|en|'''DDR SDRAM'''}}或{{lang|en|'''DDR'''}}），為具有[[雙倍數據速率]]的[[SDRAM]]，其資料傳輸速度為系統[[時脈]]的兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的SDRAM。

DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。

[[JEDEC|JEDEC固態技術協會]]为DDR存储器设立速度规範<ref>{{cite web
| url = http://www.design-reuse.com/articles/13805/the-love-hate-relationship-with-ddr-sdram-controllers.html
| title = The Love/Hate Relationship with DDR SDRAM Controllers
| accessdate = 2011-11-29
| archive-date = 2011-10-05
| archive-url = https://web.archive.org/web/20111005040857/http://www.design-reuse.com/articles/13805/the-love-hate-relationship-with-ddr-sdram-controllers.html
| dead-url = no
}}</ref>，并分为以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。

== 規格 ==
SDRAM在一個時鐘周期内只传输一次資料，它是在时钟上升期進行資料传输；而DDR则是一個时钟周期内可传输两次資料，也就是在时钟的上升期和下降期各传输一次資料。
===芯片和模块===
{|class="wikitable"
|style="background:#ffdead; font-weight:bold;"|標準名稱
|style="background:#ffdead; font-weight:bold;"|I/O 匯流排時脈 ([[MHz]])
|style="background:#ffdead; font-weight:bold;"|週期 ([[納秒|ns]])
|style="background:#ffdead; font-weight:bold;"|記憶體時脈 ([[MHz]])
|style="background:#ffdead; font-weight:bold;"|數據速率 ([[MT/s]])
|style="background:#ffdead; font-weight:bold;"|傳輸方式
|style="background:#99ff99; font-weight:bold;"|模組名稱
|style="background:#99ff99; font-weight:bold;"|極限傳輸率 ([[百萬位元組|MB]]/s)
|-
|| DDR-200 || 100 || 10 || 100 || 200 || 並列傳輸 || PC-1600 || 1600
|-
|| DDR-266 || 133 || 7.5 || 133 || 266 || 並列傳輸 || PC-2100 || 2100
|-
|| DDR-333 || 166 || 6 || 166 || 333 || 並列傳輸 || PC-2700 || 2700
|-
|| DDR-400 || 200 || 5 || 200 || 400 || 並列傳輸 || PC-3200 || 3200
|-
|}
注意：上面列出的數據都是由JEDEC JESD79F指定。所有RAM的上市規格的數據率不一定是JEDEC規範，往往是製造商自行最佳化，使用更嚴格的公差或overvolted晶片。

DDR SDRAM 之間有很大的設計上的差異，設計不同的時鐘頻率，例如，PC-1600被設計運行在100 MHz，至於PC-2100被設計運行在133 MHz。

DDR SDRAM 的模塊用於桌上型電腦，被稱為[[DIMM]]s，有184隻引腳（而不是168針SDRAM，或240針腳的DDR2 SDRAM），並可以從不同notches數目來辨別（DDR SDRAM，有一個，SDRAM，SDRAM DIMMs的有兩個）。筆記本電腦上的DDR SDRAM 的SO-DIMMs有200隻引腳，引腳相同數量的DDR2的SO-DIMMs。這兩種規格的缺口也非常相似，如果不能確定正確的匹配，必須小心插入。

=== 記憶晶片 ===
* DDR-200：DDR-SDRAM 記憶晶片在 100MHz 下運行
* DDR-266：DDR-SDRAM 記憶晶片在 133MHz 下運行
* DDR-333：DDR-SDRAM 記憶晶片在 166MHz 下運行
* DDR-400：DDR-SDRAM 記憶晶片在 200MHz 下運行（JEDEC制定的DDR最高規格）
* DDR-500：DDR-SDRAM 記憶晶片在 250MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
* DDR-600：DDR-SDRAM 記憶晶片在 300MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）
* DDR-700：DDR-SDRAM 記憶晶片在 350MHz 下運行（非JEDEC制定的DDR規格）

=== 芯片模塊 ===
為了要增加內存的容量和帶寬，芯片會利用模塊結合。例如，有關 DIMMs 的64位元bus需要8個 8位的芯片並行處理。與常見的位址線（address lines）的多個芯片被稱為memory rank。這個術語被引入，是要避免與芯片內部row和bank的混亂。

* PC-1600記憶體模塊指工作在 100MHz 下的DDR-200內存芯片，其擁有 1.600[[Gibibyte|GB]]/s 的頻寬
* PC-2100記憶體模塊指工作在 133MHz 下的DDR-266內存芯片，其擁有 2.133GB/s 的頻寬
* PC-2700記憶體模塊指工作在 166MHz 下的DDR-333內存芯片，其擁有 2.667GB/s 的頻寬
* PC-3200記憶體模塊指工作在 200MHz 下的DDR-400內存芯片，其擁有 3.200GB/s 的頻寬

==高密度比低密度==
PC3200是使用帶寬 3200 MB / s的DDR - 400芯片設計，在200 MHz的DDR SDRAM 由於 PC3200內存的上升和下降時鐘邊沿的數據傳輸，其有效的時鐘速率為 400 MHz。

==世代==

{| class="wikitable" style="text-align:center"
|-
! DDR SDRAM Standard
! Bus clock (MHz)
! Internal rate (MHz)
! Prefetch (min burst)
! Transfer Rate (MT/s)
! Voltage
! [[DIMM]] pins
! [[SO-DIMM]] pins
! [[MicroDIMM]] pins
|-
| '''DDR'''
| 100–200
| 100–200
| 2n
| 200–400
| 2.5/2.6
| 184
| 200
| 172
|-
| [[DDR2 SDRAM|DDR2]]
| 200–533
| 100–266
| 4n
| 400–1066
| 1.8
| 240
| 200
| 214
|-
| [[DDR3 SDRAM|DDR3]]
| 400–1066
| 100–266
| 8n
| 800–2400
| 1.5
| 240
| 204
| 214
|-
| [[DDR4 SDRAM|DDR4]]
| 800–1600
| 200–400
| 8n
| 1600–5067
| 1.2
| 288
| 260
| 214
|-
| [[DDR5 SDRAM|DDR5]]
| 1600–3600
| 200–450
| 16n
| 3200–7200
| 1.1
| 288
| 262
| -
|}
（DDR1）已被DDR2 SDRAM取代，其中有一些修改，以允許更高的時脈頻率。與DDR2的競爭是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一個新的標準，提供更高的性能和新功能。

DDR 預取緩衝器（prefetch buffer）深度為2位元，而DDR2採用4位元。雖然DDR2的時鐘速率高於DDR，但整體性能並沒有提升，主要是由於DDR2高延遲（high latency）。直到2004年DDR2才有明顯的提升。

==MDDR==
MDDR是Mobile DDR的縮寫，在一些行動電子設備中使用，像是使用移動電話、手持設備、數字音頻播放器等。通過包括降低電源電壓和先進的刷新選項（advanced refresh options）技術，MDDR可以實現更高的電源效率。

== 公式 ==
利用下列公式，就可以計算出DDR SDRAM時脈。

[[雙倍資料傳輸率|DDR]] I/II[[記憶體]]運作[[時脈]]：實際時脈*2。
（由於兩筆資料同時傳輸，200MHz記憶體的時脈會以400MHz運作。）

記憶體頻寬=記憶體速度*8 [[Byte]]

標準[[公式]]：記憶體[[除頻係數]]=時脈／200→*速算法：[[外頻]]*（[[除頻]]頻率／同步頻率）
（使用此公式將會導致4%的誤差）

==注釋==
{{reflist}}

==外部链接==
*[http://www.amd.com/us-en/Processors/DevelopWithAMD/0,,30_2252_869_893,00.html amd官方网]{{Wayback|url=http://www.amd.com/us-en/Processors/DevelopWithAMD/0,,30_2252_869_893,00.html |date=20100209034451 }}
*[https://web.archive.org/web/20080821101233/http://www.nwlogic.com/docs/ASIC_DDR_PHY.pdf Northwest Logic DDR Phy datasheet]

== 參见 ==
* [[雙通道]]
* [[電腦記憶體]]
* [[SDR SDRAM]]
* [[DDR2 SDRAM]]
* [[DDR3 SDRAM]]
* [[DDR4 SDRAM]]
* [[DDR5 SDRAM]]
* [[GDDR6]]
* [[EDO DRAM]]
* [[FB-DIMM]]

{{DRAM}}

[[Category:已被淘汰的電腦硬體]]
[[Category:SDRAM]]
[[Category:韩国发明]]
[[Category:1998年面世]]

DDR SDRAM - 版本历史

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