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== 技術 ==
Fully Buffered DIMM架構新創立了一顆先進記憶體緩衝（Advanced Memory Buffer，AMB）晶片，這顆晶片被安插在記憶體控制器與記憶體模組間，且與「傳統DRAM所用的並列匯流排架構」不同的，FB-DIMM是以串列介面來連接AMB晶片與記憶體控制器，如此可以在不增加記憶體控制器的線路數下提升記憶體的頻寬，同時具有技術可行性。使用此架構後，記憶體控制器不需要再直接將資料寫入記憶體模組，而是透過AMB晶片來完成這項工作。此外AMB也能以緩衝方式來抵補信號劣化並重新發送信號。除此之外，AMB也能提供錯誤更正，而不需要偏勞到記憶體控制器或處理器，另外也能提供「位元通道容錯移轉校正(Bit Lane Failover Correction)」能力，能查出哪一條資料路徑損壞，並在運作過程中將該壞損路徑移除不用，如此能大幅減少命令資訊傳輸、位址資訊傳輸的錯誤。

此外，因為讀取及寫入都已經透過緩衝處理，所以記憶體控制器可同時執行讀取與寫入。如此不僅接線更簡化、記憶體頻寬更大，且就理論而言，記憶體控制器可以不用在意與理會所使用的是何種記憶體晶片，可以是以前的DDR2抑或是現在的DDR3，理論上可直接替換。不過，Fully Buffered DIMM的作法也有其不利處，特別是在功耗（{{lang|en|Power Consumption}}）及資料存取需求的[[延遲]]（{{link-en|Latency|Latency}}，俗稱：[[Lag]]）上。然而此方式應是未來最無顧慮的記憶體效能提升法。